分析师自制英特尔10纳米技术攻略

最近有位半导体产业分析师针对英特尔(Intel)将在下两个工艺世代使用的技术，提出了大胆且详细的预测；如果他的预言成真，意味着芯片龙头英特尔又将大幅超前其他半导体同业。

 

这位分析师David Kanter在他自己的网站发表一篇分析文章，指出英特尔将会在10纳米节点采用量子阱(quantum well) FET；这种新的晶体管架构将会采用两种新材料──以砷化铟镓(indium gallium arsenide，InGaAs)制作n型晶体管，以应变锗(strained germanium)制作p型晶体管。

 

 

英特尔曾在2009年的IEDM会议论文透露其正在开发的InGaAs制程技术
 

 

若预测正确，英特尔最快在2016年可开始生产10纳米工艺晶体管，且功耗能比其他工艺技术低200毫伏(millivolts)；Kanter预期，其他半导体制造业者在7纳米节点之前难以追上英特尔的技术，差距约是两年。Kanter指出，英特尔可能还要花一年多的时间才会公布其10纳米工艺计划，而他自认其预测有90%的准确度。

 

英特尔曾在2009年的IEDM会议论文透露其正在开发的InGaAs工艺技术

 

Kanter的分析文章是根据对英特尔在年度IEEE国际电子组件会议(IEDM)发表的数十篇篇论文研究所得，此外还有英特尔与芯片制造相关的专利；他在接受EETimes美国版访问时表示：“我所看到的一切都朝这个方向发展；问题应该不在于英特尔会不会制作量子阱FET，而是他们会在10纳米或7纳米节点开始进行。”

 

“在晶体管通道采用复合半导体材料并非只有英特尔一家在研究，但显然到目前为止没有人做到像英特尔所发表的这么多；”Kanter指出：“英特尔在锗材料方面的论文与专利很少，但该技术较广为人知。”此外他预期英特尔会采用纯锗，不过也可能会透过先采用硅锗(silicon germanium)来达到该目标。

 

Kanter并表示他在发表分析文章之前，曾提供内容给英特尔看；不过该公司婉拒发表任何相关评论。