STGW30N120KD/STGW40N120KD：低开关损耗1200V IGBT系列产品

STGW30N120KD/STGW40N120KD：低开关损耗1200V IGBT系列产品

上网时间：2009-10-21   来源：电子元件技术网产品特性： 
节能
能够承受长达10微秒的短路事件
额定工作电压为1200V
应用范围：
STGW30N120KD/STGW40N120KD：低开关损耗1200V IGBT系列产品

电机驱动器

日前，意法半导体（ST）推出新系列功率晶体管，可最大限度降低电机控制电路的两大能耗源，降低家电、供暖通风空调（HVAC）系统、工业机床等日用设备对环境的影响。STGW30N120KD和STGW40N120KD是两款导通损耗很低的绝缘栅双极晶体管（IGBT），可降低开关损耗。

这两款IGBT采用意法半导体的PowerMESH™制程，节能降耗，并全面提升能效。更低的开关损耗意味着更高的开关频率，更高的开关速度意味着在功率控制电路中可以使用更小的更低廉的元器件。此外，紧凑的工业标准TO-247封装内还集成了大多数电路所需的超高速续流二极管，减少了外部元器件的数量。

这两款1200V IGBT能够承受长达10微秒的短路事件，可以抵御常见的电机控制器失效原因，如栅驱动信号错误、接地短路和电机相对相绝缘击穿。通过改进可靠性，STGW30N120KD和STGW40N120KD减少了维修、更换次数和售后维修服务请求，以降低最终用户的使用成本。

新系列产品的额定工作电压为1200V，可用于440V或480V的交流线电压。结合现有的600V低损耗IGBT产品线，新器件将协助意法半导体打造业内最齐全的功率晶体管产品组合。