Qorvo的6寸晶圆工艺有突破，GaN器件产能将实现翻倍

日前消息，RF解决方案供应商Qorvo（原RFMD和TriQuint）宣布，已成功地将专有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化镓(GaN)工艺技术扩展用于在6英寸晶圆上生产单片微波集成电路(MMIC)。预计从4英寸过渡到6英寸晶圆，大约能使Qorvo公司的碳化硅基氮化镓生产能力增加一倍，并且有利于降低制造成本——对价格实惠的射频器件生产，能起到显著的推进作用。

 

“在6英寸晶圆上实现碳化硅基氮化镓单片微波集成电路，为显著提高生产能力和成本效益铺平了道路”，Qorvo公司的基础设施和国防产品部(IDP)总裁James Klein表示。“这是一个重要的里程碑，巩固了Qorvo在商业和国防市场提供一流工艺和GaN产品的领导地位。”

 

Qorvo成功地证明，其高产、X波段功率放大器(PA)单片微波集成电路(MMIC)的QGaN25生产工艺可成功地从4英寸扩展到6英寸碳化硅基氮化镓晶圆。这同样有助于将公司的所有碳化硅基氮化镓生产工艺转换到6英寸晶圆，栅极长度范围为0.15 um至0.50 um，涵盖整个微波至mmW应用领域。预计将于2016年实现全面生产。

 

12瓦X波段的点对点MMIC功率放大器，符合80%以上的直流和射频收益率要求，引领行业发展。这一工艺可行性为高速生产商用收发器基站(BTS)和点对点无线电、CATV及国防产品奠定了基础。

 

晶圆尺寸扩展进一步巩固了其作为美国国防部制造电子局认可的1A类供应商（1A Trusted Source）的领导地位。Qorvo于2014年完成DPA Title III碳化硅基氮化镓项目，是首个达到制造成熟度(MRL)9级的公司，表明其高性能制造工艺可以投入全面生产。

 

美国国防部的制造成熟度评估(MRA)确保制造、生产和质量要求能够满足作战任务需求。该过程确保产品或系统从工厂顺利过渡到现场，为客户提供最高的价值，并满足全部性能、成本和产能目标。