三星电子 电子设计模块
一直在先进工艺晶圆代工技术领域与台积电(TSMC)激烈竞争的三星电子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14纳米FinFET工艺劫走所有高通(Qualcomm)的订单。最近，三星宣布推出采用其14纳米LPP (Low-Power Plus)技术的商业化量产逻辑工艺。
香港Maybank Kim Eng分析师Warren Lau表示，高通在两年前约贡献所有台积电订单的近两成，到2017年之后会将大多数10/14纳米订单转往三星：“三星会是未来高通14纳米芯片与数据机的独家供应商；10纳米节点也会是相同的情况。”
三星14纳米LPP先进工艺技术
三星表示，高通正采用该公司最新的14纳米LPP工艺生产其Snapdragon 820处理器，首批产品将会应用于今年上半年推出的移动设备中；三星还强调该公司是FinFET技术的领导厂商，其第一代FinFET工艺在2015年第一季推出，当时该公司采用自家14纳米LPE (Low-Power Early)工艺生产Exynos 7八核心处理器。而三星将采用新的14纳米LPP工艺生产Exynos 8八核心处理器。
以上三星的新讯息，恰巧与台积电在1月14日的最新预测同时发布。台积电估计该公司在16/14纳米节点市场的2016年占有率，将由2015年的50%增加为70%；同时台积电也预测市场对其16纳米产品需求增加，将贡献该公司2016年度业绩的两成左右。
三星与台积电都在开发较低价版本的FinFET工艺，以保持市场竞争力。在2015年第四季，台积电完成开发16nm FinFET Compact (FFC)工艺，是该公司在2015年中发表的16纳米FinFET工艺的较低功耗、较低成本版本。台积电预计16纳米FFC工艺会在本季开始量产。
而三星系统LSI业务与行销副总裁Charlie Bae表示，该公司将会继续提供先进14纳米FinFET工艺技术的衍生版本，以维持技术领导地位。三星表示其最新14纳米LPP工艺透过电晶体结构与技术的优化，能提供比前一代LPE工艺技术高15%的速度与低15%的功耗。
此外三星也表示，透过采用空乏(fully-depleted) FinFET电晶体，能提供强化的制造能力以克服工艺微缩极限。三星预期14纳米FinFET工艺能应用于手机以及物联网(IoT)芯片，还有需求高性能与省电的各种连网与车用芯片。
台湾媒体称，台积电将在今年第一季度完成10nm制造工艺的流片，并在第四季度开始进入量产阶段。在三星还在为14纳米工艺产能寻找合作伙伴时，台积电整整提前一年完成预定目标，2015年台积电的半导体研发投入也创同行业新高。
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